IBM и Samsung: Нова чип технологија со двојно подобри перформанси

Објавено на 16.12.2021 во Новости



IBM и Samsung: Нова чип технологија со двојно подобри перформанси

IBM и Samsung го најавија својот напредок во дизајнот на полупроводникот, т.е. новиот начин на склопување на транзистори вертикално на чипот, наместо хоризонтално склопување на површината на полупроводникот.

Новиот таканаречен VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) дизајн е како наследник на FinFET технологијата, која што денес се користи за некои од најнапредните чипови на пазарот, и кои би можеле да овозможат уште погуста транзисторска структура на чипови, од оние кои што денес се користат.

Во основа тимот со нов дизајн на транзистори се склопуваат вертилано, што би овозможило на електричната енергија да тече горе-долу преку транзисторите, наместо низ широчината на транзисторите, како што е случајот со дизајнот кој што денес се користи во повеќето чипови. VTFET чиповите имаат двојно зголемување во перформансите или 85% помала потрошувачка на енергија во споредба со моменталните FinFET чипови.

Автор: Aleksandar Stankov