Samsung прв произведе 3нм чип, со подобри перформанси и заштеда на енергија

Објавено на 03.07.2022 во Новости



Samsung прв произведе 3нм чип, со подобри перформанси и заштеда на енергија

Samsung успеа прв да го направи микрочипот од 3 нанометри, надминувајќи го TSMC, снабдувачот на Apple. Samsung е сега на чекор до производство на најнапредните чипови во светот. Новиот производен процес е енергетски поефикасен за 45% и за 23% има подобри перформанси од претходната генерација на 5-нанометарски чипови, велат од Samsung.

Резултатите се постигнуваат преку користење на таканаречената транзисторска архитектура Gate-All-Around (GAA FET), кој претставува надградба на FinFET и со 16% помала површина од претходно. Samsung истакнува дека новиот микрочип ќе се користи за компјутерство со високи перформанси и ниска потрошувачка енергија со мобилните процесори што доаѓаат подоцна.

Автор: Aleksandar Stankov